近期，上海微系統(tǒng)所宋志棠科研團隊在新型相變存儲材料方面取得重大突破，創(chuàng)新提出一種高速相變材料的設(shè)計思路，即以減小非晶相變薄膜內(nèi)成核的隨機性來實現(xiàn)相變材料的高速晶化。‘

通過第一性理論計算與分子動力學模擬，從眾多過渡族元素中，優(yōu)選出鈧（Sc）作為摻雜元素，設(shè)計發(fā)明了低功耗、長壽命、高穩(wěn)定性的Sc-Sb-Te材料，Sc與Te形成的穩(wěn)定八面體，成為成核核心是實現(xiàn)高速、低功耗存儲的主要原因，具有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)（國際專利PCT/CN2016/096649，中國專利201610486617.8）。利用0.13um CMOS工藝制備的Sc-Sb-Te基相變存儲器件實現(xiàn)了700皮秒的高速可逆寫擦操作，循環(huán)壽命大于107次。相比傳統(tǒng)Ge-Sb-Te器件，其操作功耗降低了90%，且十年的數(shù)據(jù)保持力相當；通過進一步優(yōu)化材料與微縮器件尺寸，Sc-Sb-Te基PCRAM綜合性能將會得到進一步提升。

11月9日的《科學》（10.1126/science.aao3212 (2017)）雜志以Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing 為題，在線發(fā)表了這一重要研究成果。

Sc-Sb-Te相變存儲材料的重大發(fā)現(xiàn)來自于上海微系統(tǒng)所科研團隊在相變存儲器方面的長期科研工作積累。該科研團隊陸續(xù)開發(fā)出了我國第一款8Mb PCRAM試驗芯片，發(fā)現(xiàn)了比國際量產(chǎn)的Ge-Sb-Te性能更好的Ti-Sb-Te自主新型相變存儲材料，開發(fā)基于0.13umCMOS工藝的打印機用嵌入式PCRAM產(chǎn)品已獲得首個1500萬顆的訂單；自主研發(fā)的雙溝道隔離的4F2高密度二極管技術(shù)，自讀存儲器已開始送樣，晶體管密度達到國際先進水平；40nm節(jié)點PCRAM試驗芯片的單元成品率達99.99%以上，4Mb、64Mb不加修正的芯片在先進信息系統(tǒng)上實現(xiàn)試用。

Sc-Sb-Te新型相變存儲材料的重大發(fā)現(xiàn)，尤其是在高密度、高速存儲器上應(yīng)用驗證，對于我國突破國外技術(shù)壁壘、開發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲器芯片具有重要的價值，對我國的存儲器跨越式發(fā)展、信息安全與戰(zhàn)略需求具有重要意義。